Новости микроэлектроники - 18.09

Микроэлектроника: В ИФП РАН придумали как пустить кислород в буферный слой полупроводников на основе GaN

GaN - интересный материал для полупроводников. Он имеет массу свойств, заставляющих отдавать ему предпочтение перед традиционными кремниевыми технологиями.

Проблемой при изготовлении GaN-приборов является кислород. Он может встраиваться в кристаллическую структуру полупроводника, вызывая токи утечки в буферном слое и, тем самым, ухудшая электрофизические свойства. Поэтому производство ведут в условиях вакуума. Также проблему решают дополнительным введением углерода или железа для захвата "лишних" электронов.

В ИФП РАН придумали альтернативный метод - буферный слой создается при рассчитанных оптимальных параметрах роста (на нижней границе температуры - 800 градусов и при скорости потока аммиака 250 мл в минуту), так удается создавать слой с высоким сопротивлением, но с минимальным вхождением кислорода.

В планах - апробировать техпроцесс на установке Riber Compact 21-N. Подробнее: popmech.ru

Микроэлектроника: Нитрид галлия - материал с перспективами

Нитрид галлия, GaN, материал с большим будущим, особенно, что касается СВЧ-приборов. Но если в ряде стран он уже активно применяется в серийном производстве, то в России пока что с ним больше экспериментируют, а о возможности собственного серийного производстве полного цикла пока что вряд ли можно говорить. А жаль, полупроводник действительно интересный, особенно для СВЧ-применений.

Вашему вниманию - подборка материалов по перечисленным на картинке направлениям. mforum.ru

Микроэлектроника: В MALT system завершили проектирование микропроцессора MALT-C 20Mb480G

В Malt system завершили работу по проектированию микропроцессора MALT-C 20Mb480G. Заказ на изготовление направлен в TSMC. Чип будет выпускаться по техпроцессу 28 мм TSMC HPCPlus (высокопроизводительные вычисления).

Процессор содержит 20 RISC ядер общего назначения и 480 процессорных элементов, объединенных в 15 SIMD кластеров по 32 элемента. Расчетное энергопотребление не превысит 5 Вт на частоте 800 МГц. Архитектура - собственной разработки компании.

Сейчас готовится комплект разработчика под этот чип для отладки пользовательских программ.

В качестве альтернативы в MALT systems планируют обеспечить онлайн-сервис WEB_SDK, позволяющий проверять свои программы на цифровых образах микросхем MALT или на специализированных платах с ПЛИС, на которых реализованы те или иные версии процессоров MALT.

Источник: maltsystem.ru

Микроэлектроника: Производителям микроэлектроники стоит готовиться к дефициту гелия?

Газ гелий (He) знаком каждому из нас - ведь именно им вот уже несколько десятилетий подряд заполняют воздушные шарики и рекламные дирижабли. Этот газ имеет существенное значение для научных и промышленных применений, используется, например, аквалангистами при работе на глубине, в медицине - для охлаждения сканеров МРТ, для придания свойств сверхпроводимости различным металлам, в аэрокосмической отрасли и не только. В производстве микроэлектронике он также применяется - в качестве индикаторного газа при контроле герметичности корпусов микросхем.

Проблема в том, что синтезировать гелий люди не умеют. Вдобавок гелий настолько легок, что не задерживается в земной атмосфере. Поэтому практически весь гелий, который человечество добывает, через какое-то время безвозвратно теряется. И кое-кто уже прогнозирует, что буквально через 10 лет население Земли может лишиться этого газа. Хотя гелий второй после водорода по распространенности во Вселенной элемент, на Земле этот газ редок, образуется он на нашей планете в результате альфа-распада тяжелых элементов - тория, урана и их радионуклидов. Просачивается через породы и улетучивается в космос, частично накапливаясь только в залежах природного газа и в некоторых минералах.

Добывают гелий в основном из природного и нефтяного газа так называемой низкотемпературной фракционной перегонкой (дистилляцией): технической чистоты (99,8% He по объему) и высокой чистоты (99,985%). До недавнего времени мировые потребности в гелии обеспечивали в основном три крупных источника - один расположен в Катаре, два в США (Вайоминг и Техас). На их долю приходилось около 75% производства гелия в мире, есть также производства в Алжире и в Польше. Теперь США уходит с рынка в связи со все большим истощением источников, и цены на гелий растут все стремительнее - за последние 15 лет они поднялись на 500%, а только за 2019 года цена выросла на 135%.

Другие страны реагируют на ситуацию. В 2020 году появится еще одна площадка по добыче гелия в Катаре, в 2021 году должно начаться производство ценного газа в России - из богатых гелием природных газов Ковыктинского и в Чаяндинского месторождений (оценка 2,3 млрд куб.м и 1.4 млрд куб.м, содержание газа от 0.15% до 1%). Производится гелий в России и сейчас, на предприятии ООО "Газпром добыча Оренбург", но из газа с низким содержанием гелия, до 0,055%, что определяет высокую себестоимость газа российского производства. Также намерены заняться добычей гелия в Австралии, Канаде и Танзании (в районе озера Виктория обнаружены залежи гелия, объем оценивается в 1.5 млрд куб.м). И даже при такой существенной активности идет речь о том, что вскоре может возникнуть дефицит гелия, а значит рост цен на этот газ продолжится. По материалам: detaly.co.il

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro