Автор: saul
Источник: https://geektimes.ru/post/291887/
Intel продолжает движение в бесшпиндельное будущее. Новые SSD серий DC S4500 и DC S4600 предназначены для замены HDD в серверах и системах хранения. Выполненные по технологии Intel 3D NAND второго поколения, SSD имеют объем до 4 Тб. Показатели производительности — до 72k/33k IOPS у S4500 и 72k/65k IOPS у S4600 (чтение/запись, рандом блоки 4k).
Диски получили новый SATA-контроллер, обеспечивающий до 30% прирост производительности на реальных смешанных нагрузках. Система обновления прошивок позволяет делать это автоматически, без перезагрузок и потери скорости. В целом, показатель надежности (Annualized Failure Rate, AFR) у новых SSD более чем в 3 раза выше, чем у специализированных HDD. Количество ошибок чтения — 1 сектор на 1019 операций.
Новые серии SSD параллелльны недавно вышедшим сериям P4500/P4600 с интерфейсом PCIe NVMe, так что этот шаг можно назвать эволюционным развитием. А вот дальше нас ждет ряд интересных и принципиальных нововведений — о них кратко под катом.
Читать дальше →
Источник: https://geektimes.ru/post/291887/
Intel продолжает движение в бесшпиндельное будущее. Новые SSD серий DC S4500 и DC S4600 предназначены для замены HDD в серверах и системах хранения. Выполненные по технологии Intel 3D NAND второго поколения, SSD имеют объем до 4 Тб. Показатели производительности — до 72k/33k IOPS у S4500 и 72k/65k IOPS у S4600 (чтение/запись, рандом блоки 4k).
Диски получили новый SATA-контроллер, обеспечивающий до 30% прирост производительности на реальных смешанных нагрузках. Система обновления прошивок позволяет делать это автоматически, без перезагрузок и потери скорости. В целом, показатель надежности (Annualized Failure Rate, AFR) у новых SSD более чем в 3 раза выше, чем у специализированных HDD. Количество ошибок чтения — 1 сектор на 1019 операций.
Новые серии SSD параллелльны недавно вышедшим сериям P4500/P4600 с интерфейсом PCIe NVMe, так что этот шаг можно назвать эволюционным развитием. А вот дальше нас ждет ряд интересных и принципиальных нововведений — о них кратко под катом.
Читать дальше →
